氮化硼作為高導熱填料的優勢
2025/4/5 來源： 作者：佚名 瀏覽次數：40
隨著電子技術的迅猛發展，電子產品呈現微型化、集中化，相應地，對電子元器件封裝的散熱性能提出了更高的要求，高導熱的封裝材料成為趨勢。根據調查，溫度每升高2℃，電子元件的可靠性降低 10%，這就要求封裝材料能將器件產生的熱量及時導出，以此減少熱量對設備性能的損害。
絕緣導熱聚合物基復合材料是指在電絕緣情況下可以傳遞熱量的物質，其在熱交換工程、航空航天、電子電氣工程等領域有著廣泛的應用。表1 列出了部分聚合物的熱導率，從表中數據可以看出聚合物材料的導熱性能普遍不好，即使導熱性最好的高密度聚乙烯其熱導率也只有 0.44 W/(m·K)，因此研究開發具有高導熱性能的絕緣樹脂基復合材料具有迫切的實際意義。
提高聚合物材料導熱性能目前主要有三種途徑：一是合成具有高熱導率的聚合物或分子鏈中引入導熱性能良好的官能團；二是探索先進的高聚物加工工藝及其設備，通過改變高聚物的鏈排列結構使聚合物具有完整結晶性，通過聲子導熱機制導熱；三是加入高導熱填充物。第一和第二種方法因工藝復雜、對設備要求高等因素影響目前難以實現規模化生產。第三種方法即高導熱填充物方法因簡便快捷、易于控制而應用最為廣泛。
作為導熱填料，應該具備以下基本要求：高導熱系數、不與聚合物基體發生反應、化學和熱穩定性良好等，氮化硼因具有較低的介電常數、較高的體積電阻率和熱導率，成為目前制備高絕緣導熱聚合物的理想填料，BN/聚合物復合材料也成為當前絕緣導熱聚合物復合材料的研究熱點。
導熱填料/聚合物復合材料的性質與填料的形貌等因素有關，如填料的大小、形狀和在聚合物基體中的分散狀態等都會影響聚合物的導熱性能。搭配使用不同形態的氮化硼作為填料，可使聚合物復合材料顯示出優異的導熱性能。（以下為晶億新材粉體新品）
大單晶氮化硼(TW20-W，TW30-W，TW50-W)
單晶：20-50um 氧<0.1 白度>97
顆粒氮化硼(HPBN20 , HPBN100 , HPBN250)
氮化硼晶須
通過在聚合物基體中添加氮化硼確實能夠提高聚合物導電性能，隨著今后對氮化硼其物化性能和熱傳導性能等方面的研究利用，適合于電子技術發展的高導熱的 BN/聚合物基復合材料也將會不斷涌現。
